China Semicondutor discreto

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  SPB21N10

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:4V @ 44μA

  contacto
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  IPB04N03LA

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 60μA

  contacto
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  SPB80N03S2L-05

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 110μA

  contacto
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  IPB14N03LA

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA

  contacto
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  A partir de 1 de janeiro de 2016, a Comissão deve apresentar ao Parlamento Europeu e ao Conselho uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento.

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 135μA

  contacto
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  IPD09N03LAG

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA

  contacto
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  SPB100N03S2L-03

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 250μA

  contacto
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  SPB73N03S2L-08

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 55μA

  contacto
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  A partir de 1 de janeiro de 2016, a Comissão deve apresentar um relatório sobre a aplicação do presente regulamento.

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 80μA

  contacto
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  A AFT20S015NR1

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET

  Estatuto do produto:Atividade

  Tipo de montagem:Montagem de superfície

  contacto
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  Artigo 2.o

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET

  Estatuto do produto:Atividade

  Tipo de montagem:Montura do chassi

  contacto
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  STAC2932FW

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET

  Estatuto do produto:Obsoletos

  Configuração:N-canal

  contacto