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IPD09N03LAG

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Imagem Grande :  IPD09N03LAG

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Contato

IPD09N03LAG

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacote: Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 25 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
Tipo de montagem: Montagem de superfície Série: OptiMOS™
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-TO252-3-11 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 63W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: OPD09N

N-Canal 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Montador de superfície PG-TO252-3-11

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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