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SPB21N10

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SPB21N10

Imagem Grande :  SPB21N10

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Contato

SPB21N10

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44μA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Pacote: Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 100 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V
Tipo de montagem: Montagem de superfície Série: SIPMOS®
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-TO263-3-2 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 90W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: SPB21N

N-Canal 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Montador de superfície PG-TO263-3-2

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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