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SPB100N03S2L-03

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SPB100N03S2L-03

SPB100N03S2L-03
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Imagem Grande :  SPB100N03S2L-03

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
Contato

SPB100N03S2L-03

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250μA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Pacote: Tape & Reel (TR)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 30 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Tipo de montagem: Montagem de superfície Série: OptiMOS™
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-TO263-3-2 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 300W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: SPB100N

N-Canal 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montador de superfície PG-TO263-3-2

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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