China Semicondutor discreto

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  SPI07N60C3HKSA1

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 350μA

  contacto
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  BSO301SPNTMA1

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:136 nC @ 10 V

  Estatuto do produto:Obsoletos

  contacto
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  SPA04N60C3XKSA1

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 200μA

  contacto
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  BSP317PE6327

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2 V @ 370 μA

  contacto
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  BSL207SP

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:20 nC @ 4,5 V

  Estatuto do produto:Obsoletos

  contacto
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  BSS670S2L

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:2.26 nC @ 10 V

  Estatuto do produto:Obsoletos

  contacto
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  BSO203SPNTMA1

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:50.4 nC @ 4,5 V

  Estatuto do produto:Obsoletos

  contacto
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  IPB05N03LA

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 50μA

  contacto
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  BSP316PE6327

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:6.4 nC @ 10 V

  Estatuto do produto:Obsoletos

  contacto
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  IPD04N03LAG

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 80μA

  contacto
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  IPD13N03LAG

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Característica do FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA

  contacto
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  BSS223PW L6327

  Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs

  Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:00,62 nC @ 4,5 V

  Estatuto do produto:Obsoletos

  contacto