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BSP317PE6327

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Imagem Grande :  BSP317PE6327

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Contato

BSP317PE6327

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2 V @ 370 μA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-261-4, TO-261AA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohms @ 430 mA, 10 V Tipo de FET: P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacote: Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 250 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF
Tipo de montagem: Montagem de superfície Série: SIPMOS®
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-SOT223-4 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 430 mA (Ta) Dissipação de poder (máxima): 1.8W (Ta)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: BSP317

P-Channel 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Montador de superfície PG-SOT223-4

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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