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Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Contato

BSP316PE6327

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Estatuto do produto: Obsoletos Tipo de montagem: Montagem de superfície
Pacote: Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Série: SIPMOS® Vgs (máximo): ± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170μA Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V Mfr: Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de FET: P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Dissipação de poder (máxima): 1.8W (Ta)
Embalagem / Caixa: TO-261-4, TO-261AA Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 100 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 680 mA (Ta) Tecnologia: MOSFET (óxido de metal)
Característica do FET: -

P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Montador de superfície PG-SOT223-4

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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