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IPB14N03LA

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Imagem Grande :  IPB14N03LA

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Contato

IPB14N03LA

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacote: Tape & Reel (TR)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 25 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Tipo de montagem: Montagem de superfície Série: OptiMOS™
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-TO263-3-2 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 46 W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: IPB14N

N-Canal 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Montador de superfície PG-TO263-3-2

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Pessoa de Contato: Miss. Coral

Telefone: +86 15211040646

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