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SPB80N03S2L-05

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SPB80N03S2L-05

SPB80N03S2L-05
SPB80N03S2L-05

Imagem Grande :  SPB80N03S2L-05

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Contato

SPB80N03S2L-05

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110μA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacote: Tape & Reel (TR)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 30 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Tipo de montagem: Montagem de superfície Série: OptiMOS™
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-TO263-3-2 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 167W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: SPB80N

N-Canal 30 V 80A (Tc) 167W (Tc) Monte de superfície PG-TO263-3-2

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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