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MT41K256M16TW-107:P Memória dinâmica de acesso aleatório 4Gbit Escalabilidade

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MT41K256M16TW-107:P Memória dinâmica de acesso aleatório 4Gbit Escalabilidade

MT41K256M16TW-107:P Memória dinâmica de acesso aleatório 4Gbit Escalabilidade
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Imagem Grande :  MT41K256M16TW-107:P Memória dinâmica de acesso aleatório 4Gbit Escalabilidade

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000 PCS
Preço: Negotiated
Resíduos: 10000-500000pcs
Método de transporte: LCL, AIR, FCL, Express
Descrição: "MT41K256M16TW-107:P" é um número de modelo para um chip DRAM (Dynamic Random Access Memory), especi
Termos de pagamento: T/T

MT41K256M16TW-107:P Memória dinâmica de acesso aleatório 4Gbit Escalabilidade

descrição
Capacidade de armazenamento: 4Gbit Largura dos dados: 16 bits
Tipo de embalagem: FBGA-96
Destacar:

MT41K256M16TW-107:P Memória dinâmica de acesso aleatório

,

Escalabilidade Memória de Acesso Dinâmico Aleatório

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Circuitos eletrónicos integrados de 4 Gbits

O MT41K256M16TW-107:P é um chip DRAM (Dynamic Random Access Memory) produzido pela Micron, pertencente à família DDR3L (Low Voltage DDR3).

Parâmetros básicos

  • Capacidade de armazenamento: 4Gbit (ou seja, 256M x 16bit)
  • Largura de dados: 16 bits
  • Tipo de embalagem: FBGA-96 (Fine-pitch Ball Grid Array com 96 pins)
  • Faixa de tensão: 1,283V a 1,45V (conforme à gama de baixa tensão da norma DDR3L)

Parâmetros de desempenho

  • Frequência do relógio: Até 933 MHz (embora a frequência de funcionamento real possa variar consoante a concepção do sistema e os requisitos da aplicação)
  • Tempo de acesso: geralmente relacionado com a frequência de funcionamento, mas algumas referências mencionam um tempo de acesso de 20 ns (possivelmente um valor de ensaio em condições específicas)
  • Intervalo de temperatura de funcionamento: Geralmente entre 0°C e 95°C, mas as temperaturas mínimas de funcionamento podem ser tão baixas como -40°C de acordo com diferentes fontes

Características funcionais

  • Compatibilidade com o passado: Suporta a operação a 1,5 V para compatibilidade com dispositivos DDR3
  • Strobe de dados bidireccional diferencial: Permite sinalização diferencial para melhorar a estabilidade do sinal e a imunidade ao ruído
  • Arquitetura 8n-Prefetch: Melhora a eficiência da transferência de dados
  • Entradas de relógio diferencial (CK, CK#): Utiliza sinais de relógio diferenciais para reduzir a distorção do relógio e o ruído
  • Latência CAS programável (CL), Latência aditiva (AL) e Latência de gravação CAS (CWL): Fornece configurações de latência flexíveis para acomodar diferentes necessidades de desempenho
  • Modo de auto-realizaçãoAtivar a atualização automática dos dados da memória durante períodos de inatividade para evitar perda de dados

Informações adicionais

  • Compatível com a RoHS: Cumprem a norma RoHS (Restricção de Substâncias Perigosas), tornando-o um produto ecológico
  • Estilo de montagem: Dispositivo de montagem de superfície (SMD/SMT), adequado às necessidades de miniaturização e integração dos dispositivos electrónicos modernosMT41K256M16TW-107:P Memória dinâmica de acesso aleatório 4Gbit Escalabilidade 0

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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