MMRF1314HR5

O MMRF1314HR5 é um transistor de potência de RF fabricado pela NXP, projetado especificamente para aplicações de RF de alta potência.

Parâmetros básicos

• Tipo de produto: Transistores MOSFET de RF (Transistores de Efeito de Campo de Metal-óxido-semicondutor de Radiofrequência)
• Fabricante: NXP
• Polaridade: Canal N
• Pacote: SOT1787
• Tecnologia: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)

Parâmetros elétricos

• Frequência de funcionamento: 1200 a 1400 MHz
• Potência de saída: 1000 W (pico)
• Ganho típico (dB): 15,5 dB @ 1200 MHz (o ganho específico pode variar consoante a frequência)
• Voltagem de ruptura da fonte de drenagem (Vds): Não especificado diretamente, mas os transistores LDMOS têm geralmente altas tensões de ruptura
• Corrente de escoamento contínua (Id): Não especificado diretamente, mas determinado pelos requisitos de aplicação e de conceção
• Voltagem da fonte da porta (Vgs): -6 V a +10 V (intervalo de regulação da tensão da porta)
• Dissipação de energia (Pd): Não especificado directamente, mas requer um bom projecto de dissipação de calor para aplicações de alta potência

Temperatura de funcionamento

• Temperatura máxima de funcionamento: + 150°C
• Temperatura mínima de funcionamento: -40°C

Características de aplicação

• Operação de banda larga: Combinação interna de entrada e saída para uma operação e utilização convenientes da banda larga
• Flexibilidade de configuração: Pode ser usado em configurações de ponta única, empurrão-puxa ou quadratura
• Alta robustez: Adequado para aplicações de pulsação, especialmente excelente em aplicações de radar de banda L de alta potência, militares e comerciais

Informações adicionais

• Pacote/Caso: embalagens SMD/SMT (dispositivo de montagem na superfície/tecnologia de montagem na superfície), adequadas para a tecnologia de montagem na superfície
• Quantidade de embalagem: Normalmente embalados em determinadas quantidades (por exemplo, 50 peças) por unidade