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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Número da parte: | HN1A01FE-GR,LF | Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
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| Descrição: | Há modelos alternativos disponíveis. | Ciclo de vida: | Novo deste fabricante |
| Folha de dados: | HN1A01FE-GR,LF Ficha de dados PDF | Entrega: | DHL, UPS, FedEx, Correios Registados |
| Pagamento: | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union | Mais informações: | HN1A01FE-GR,LF Mais informações |
| ECAD: | Solicitar modelos CAD gratuitos | Preço ((USD): | - $0.06 |
| Observação: | Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation. Tensão é um dos distribuidores. Ampl | Monte: | Montagem de superfície |
| Polaridade: | PNP | Número de pinos: | 6 |
| Tensão máxima de ruptura: | 50 V | Dissipação Máxima de Potência: | 100 mW |
| Voltagem de base do emissor (VEBO): | -5 V | Voltagem de base do colector (VCBO): | -50 V |
| Tensão de divisão do emissor do coletor: | 50 V | Categoria de produtos: | Semicondutores discretos - Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays |
| Folha de dados: | HN1A01FE-GR, LF.pdf | Quantidade: | 2065 em existência |
| Aplicações: | Teste e medição Armazenamento de dados Rede com fio | minuto do hFE: | 120 |
| embalagem: | Tape & Reel (TR) | frequência da transição: | 80 MHz |
| Max Collector Current: | 150 mA | Produto de ganho de largura de banda: | 80 MHz |
| Corrente de coletor contínua: | - 150 mA | Tensão do emissor do coletor (VCEO): | 300 milivolt |
| Tensão de saturação do emissor do coletor: | -300 milivolt |
HN1A01FE-GR,LF Overview\\n\\nHN1A01FE-GR,LF é um modelo pertencente à subcategoria Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays sob Semicondutor Discreto.Consulte a ficha de dados, tais como ficheiros PDF Docx documentos, etc. Temos HN1A01FE-GR, LF imagens de alta definição e folhas de dados para referência.Continuaremos a produzir vários arquivos de vídeo e modelos 3D para que os usuários entendam nosso produto de forma mais intuitiva e abrangente. HN1A01FE-GR,LF é amplamente utilizado em testes e medições, armazenamento de dados, redes com fio. É fabricado pela Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation e distribuído por Fans,Tensão e outros distribuidores. HN1A01FE-GR,LF pode ser comprado de muitas maneiras. Você pode fazer um pedido diretamente neste site, ou você pode ligar ou nos enviar um e-mail. No momento, temos suprimentos suficientes. Além de nosso próprio estoque,Também podemos ajustar o inventário para os distribuidores pares para atender às suas necessidadesSe o fornecimento de HN1A01FE-GR,LF for insuficiente, também temos outros modelos sob a categoria Transistores de Semicondutores Discreto - Bipolar (BJT) - Arrays para substituí-lo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Então você pode encomendar HN1A01FE-GR,LF de fãs com confiança. Sobre a entrega, podemos entregar mercadorias para os nossos clientes através de uma variedade de logística, tais como DHL, FedEx, UPS,TNT e EMS ou qualquer outro agente de transporteSe quiser saber mais sobre o frete, sinta-se à vontade para nos contactar para mais detalhes.
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