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HGTG10N120BND

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Imagem Grande :  HGTG10N120BND

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: Ficha de dados HGTG10N120BND pdf e Transistores - IGBTs - Detalhes de produtos únicos do estoque da

HGTG10N120BND

descrição
Número da parte: HGTG10N120BND Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição: Há modelos alternativos disponíveis. Ciclo de vida: Novo deste fabricante
Folha de dados: Ficha de dados HGTG10N120BND PDF Entrega: DHL, UPS, FedEx, Correios Registados
Pagamento: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union Mais informações: HGTG10N120BND Mais informações
ECAD: Solicitar modelos CAD gratuitos Preço ((USD): Três dólares.08
Observação: Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor. Tensão é um dos distribuidores. Ampla gama de apli Monte: Através do Buraco
Altura: 20.82 mm peso: 6,39 g
Caso/pacote: TO-247 Número de pinos: 3
Tempo de atraso de ligação: 23 ns Voltagem nominal (DC): 1,2 quilovolts
Max Collector Current: 35 A Tempo de recuperação reversa: 70 ns
Min Operating Temperature: -55 °C Max Junction Temperature (Tj): 150°C
Tensão de divisão do emissor do coletor: 1,2 quilovolts Categoria de produtos: Semicondutores discretos - Transistores - IGBTs - Únicos
Folha de dados: HGTG10N120BND.pdf Quantidade: 5171 Em estoque
Aplicações: Ponto de venda eletrónico (EPOS) Largura: 4.82 mm
Duração: 15,87 milímetros Tempo de elevação: 165 ns
Classificação atual: 35 A Dispersão do Poder: 298 W
Tempo de atraso da volta-fora: 165 ns Configuração do elemento: Solteiro
Dissipação Máxima de Potência: 298 W Temperatura máxima de funcionamento: 150°C
Corrente de coletor contínua: 35 A Tensão do emissor do coletor (VCEO): 1,2 quilovolts
Tensão de saturação do emissor do coletor: 2,45 V

O HGTG10N120BND é um modelo pertencente aos transistores - IGBTs - subcategoria única sob semicondutor discreto.Consulte a ficha de dados, tais como ficheiros PDF Docx documentos, etc. Temos HGTG10N120BND imagens de alta definição e folhas de dados para referência.Continuaremos a produzir vários arquivos de vídeo e modelos 3D para que os usuários entendam nosso produto de forma mais intuitiva e abrangenteO HGTG10N120BND é amplamente utilizado em pontos de venda eletrônicos (EPOS).HGTG10N120BND pode ser comprado de muitas maneirasPode fazer uma encomenda diretamente neste site, ou pode ligar ou enviar-nos um e-mail.Também podemos ajustar o inventário para os distribuidores pares para atender às suas necessidadesSe o fornecimento de HGTG10N120BND for insuficiente, também temos outros modelos sob a categoria de Transistores de Semicondutores Discreto - IGBTs - Single para substituí-lo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Então você pode encomendar HGTG10N120BND de fãs com confiança. Sobre a entrega, podemos entregar mercadorias para os nossos clientes através de uma variedade de logística, tais como DHL, FedEx, UPS,TNT e EMS ou qualquer outro agente de transporteSe quiser saber mais sobre o frete, sinta-se à vontade para nos contactar para mais detalhes.

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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