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IRF2804

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Imagem Grande :  IRF2804

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

IRF2804

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Estatuto do produto: Obsoletos Tipo de montagem: Através do Buraco
Pacote: Tubos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Série: HEXFET® Vgs (máximo): ± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Pacote de dispositivos do fornecedor: TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Mfr: Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Dissipação de poder (máxima): 330W (Tc)
Embalagem / Caixa: TO-220-3 Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 40 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Tecnologia: MOSFET (óxido de metal)
Característica do FET: -

Canal N 40 V 75 A (Tc) 330 W (Tc) através do buraco TO-220AB

Contacto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Pessoa de Contato: Miss. Coral

Telefone: +86 15211040646

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