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SPI11N60C3XKSA1

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SPI11N60C3XKSA1

SPI11N60C3XKSA1
SPI11N60C3XKSA1

Imagem Grande :  SPI11N60C3XKSA1

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
Contato

SPI11N60C3XKSA1

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500μA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Pacote: Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 650 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Tipo de montagem: Através do Buraco Série: CoolMOS™
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-TO262-3-1 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 125W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: SPI11N

N-canal 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) através do buraco PG-TO262-3-1

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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