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FQD4P25TF

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Imagem Grande :  FQD4P25TF

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Contato

FQD4P25TF

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10 V Tipo de FET: P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Pacote: Tape & Reel (TR)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 250 V Vgs (máximo): ±30V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Tipo de montagem: Montagem de superfície Série: QFET®
Pacote de dispositivos do fornecedor: TO-252AA Mfr: ONSEMI
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: FQD4

P-Canal 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Montador de superfície TO-252AA

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
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Pessoa de Contato: Miss. Coral

Telefone: +86 15211040646

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