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IPU06N03LAGXK

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Imagem Grande :  IPU06N03LAGXK

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Contato

IPU06N03LAGXK

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40μA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-251-3 ligações curtos, IPak, TO-251AA Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacote: Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 25 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Tipo de montagem: Através do Buraco Série: OptiMOS™
Pacote de dispositivos do fornecedor: P-TO251-3-1 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 83W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: IPU06N

N-canal 25 V 50A (Tc) 83W (Tc) através do buraco P-TO251-3-1

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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