IPP14N03LA

Name: IPP14N03LA
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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Imagem Grande : IPP14N03LA

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:

Descrição:	MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3

Contato

descrição

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs	Característica do FET:	-
Vgs(th) (Max) @ Id:	2V @ 20µA	Temperatura de funcionamento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa:	TO-220-3	Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:	8.3 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	13.9mOhm @ 30A, 10V	Tipo de FET:	N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):	4.5V, 10V	Pacote:	Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):	25 V	Vgs (máximo):	± 20V
Estatuto do produto:	Obsoletos	Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	1043 pF @ 15 V
Tipo de montagem:	Através do Buraco	Série:	OptiMOS™
Pacote de dispositivos do fornecedor:	PG-TO220-3	Mfr:	Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:	30A (Tc)	Dissipação de poder (máxima):	46 W (Tc)
Tecnologia:	MOSFET (óxido de metal)	Número do produto de base:	IPP14N