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SPP21N10

SPP21N10
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Imagem Grande :  SPP21N10

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3

SPP21N10

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44μA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-220-3 Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 10 V Pacote: Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 100 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V
Tipo de montagem: Através do Buraco Série: SIPMOS®
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-TO220-3-1 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 90W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: SPP21N

N-canal 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) através do buraco PG-TO220-3-1

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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