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IPP04N03LA

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Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

IPP04N03LA

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs Característica do FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60μA Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa: TO-220-3 Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Tipo de FET: N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacote: Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 25 V Vgs (máximo): ± 20V
Estatuto do produto: Obsoletos Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Tipo de montagem: Através do Buraco Série: OptiMOS™
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-TO220-3 Mfr: Tecnologias Infineon
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Dissipação de poder (máxima): 107W (Tc)
Tecnologia: MOSFET (óxido de metal) Número do produto de base: IPP04N

N-canal 25 V 80A (Tc) 107W (Tc) através do buraco PG-TO220-3

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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