|
Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
|
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs | Característica do FET: | - |
|---|---|---|---|
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 200μA | Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | Bloco TO-220-3 completo | Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 22 nC @ 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V | Tipo de FET: | N-canal |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On): | 10 V | Pacote: | Tubos |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss): | 560 V | Vgs (máximo): | ± 20V |
| Estatuto do produto: | Obsoletos | Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 470 pF @ 25 V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco | Série: | CoolMOS™ |
| Pacote de dispositivos do fornecedor: | PG-TO220-3-31 | Mfr: | Tecnologias Infineon |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: | 4.5A (Tc) | Dissipação de poder (máxima): | 31W (Tc) |
| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) | Número do produto de base: | SPA04N |
N-canal 560 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) através do buraco PG-TO220-3-31
Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong
Telefone: +8618200982122
Fax: 86-755-8255222