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WP2806008UH

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Imagem Grande :  WP2806008UH

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6 GHz, 8W

WP2806008UH

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET Estatuto do produto: Atividade
Tipo de montagem: Através do Buraco Voltagem nominal: De potência
Pacote: Caixa Série: -
Figura de ruído: - Pacote de dispositivos do fornecedor: 360BH
Tensão - teste: 28 V Mfr: WAVEPIA, Co.Ltd.
Frequência: 6 GHz Ganho: 11 dB
Embalagem / Caixa: 360BH Atual - teste: 70 miliampères
Potência - saída: 6W Tecnologia: GaN HEMT
Câmbio de corrente nominal (Amp): -

RF Mosfet 28V 70mA 6GHz 11dB 6W 360BH

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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