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GPI6TIC15DFV

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Imagem Grande :  GPI6TIC15DFV

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: IC de potência baseado em Power GaN HEMT

GPI6TIC15DFV

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET Estatuto do produto: Atividade
Configuração: N-canal Voltagem nominal: 900 V
Pacote: Tubos Série: -
Figura de ruído: - Pacote de dispositivos do fornecedor: 8-DFN (8x8)
Tensão - teste: 6,5 V Mfr: GaNPower
Frequência: - Ganho: -
Embalagem / Caixa: Pad 8-WDFN Exposto Atual - teste: 2,5 A
Potência - saída: - Tecnologia: MOSFET
Câmbio de corrente nominal (Amp): -

RF Mosfet 6,5 V 2,5 A 8-DFN (8x8)

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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