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BCR135E6433

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BCR135E6433

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Imagem Grande :  BCR135E6433

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: Transistores digitais bipolares
Contato

BCR135E6433

descrição
Categoria: Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares únicos, pré-b Corrente - colector (Ic) (máximo): 100 MA
Estatuto do produto: Atividade Tipo de transistor: NPN - Pre-inclinado
Frequência - Transição: 150 megahertz Tipo de montagem: Montagem de superfície
Pacote: Em granel Série: -
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor: PG-SOT23-3-11 Resistência - Base (R1): 10 kOhms
Mfr: Tecnologias Infineon Resistência - Base do emissor (R2): 47 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo): 100nA (ICBO) Potência - Máximo: 200 mW
Embalagem / Caixa: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Número do produto de base: BCR135

Transistores bipolares pré-biasados (BJT) NPN - pré-biasados 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW Monte de superfície PG-SOT23-3-11

etiqueta:

IC de transistores,

Transistores Circuitos integrados,

CSI de transistores

Contacto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Pessoa de Contato: Miss. Coral

Telefone: +86 15211040646

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