BFP640E6327

Name: BFP640E6327
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Todos os Produtos

CI MCU
(217)

Conectores de FFC FPC
(3667)

CLOCK FANOUT BUFFER
(2459)

Audio Propósito Especial
(1050)

CI por aquisição de dados
(1000)

CI encaixados
(1000)

IC de interface
(1000)

IC linear
(950)

Lógica IC
(894)

IC de memória
(984)

GESTÃO DO PODER
(939)

RF e rádio
(995)

Sensores de temperatura IC
(1000)

Multiplicadores de frequência
(934)

Proteção de circuito IC
(992)

Semicondutor discreto
(911)

Capacitores do polímero
(700)

sensores ultrassônicos
(1000)

Circuitos integrados IC
(1000)

Proteção de circuitos
(692)

Eletrônica Opto
(1000)

Conectores coaxial
(400)

Produtos de semicondutor discretos
(853)

Filtros de Cerâmica Murata
(757)

Indutores, bobinas e estrangulamentos
(950)

mil conectores de especificações
(890)

CIs de Circuitos Integrados
(27)

Estou Chat Online Agora

Imagem Grande : BFP640E6327

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:

Descrição:	Transistor bipolar de RF

Contato

descrição

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores de RF bipolares	Corrente - colector (Ic) (máximo):	50 mA
Estatuto do produto:	Atividade	Tipo de transistor:	NPN
Tipo de montagem:	Montagem de superfície	Frequência - Transição:	40 GHz
Pacote:	Em granel	Série:	-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):	4.5V	Pacote de dispositivos do fornecedor:	PG-SOT343-4
Mfr:	Tecnologias Infineon	Figura de ruído (dB Typ @ f):	00,65 dB ~ 1,2 dB @ 1,8 GHz ~ 6 GHz
Potência - Máximo:	200mw	Ganho:	24 dB
Embalagem / Caixa:	SC-82A, SOT-343	Temperatura de funcionamento:	150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:	110 @ 30mA, 3V