JAN1N5822US/TR

Name: JAN1N5822US/TR
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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Imagem Grande : JAN1N5822US/TR

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:

Descrição:	DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

Contato

descrição

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos	Estatuto do produto:	Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:	-65°C ~ 150°C	Tipo de montagem:	Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):	500 mV @ 3 A	Pacote:	Tape & Reel (TR)
Série:	Militar, MIL-PRF-19500/620	Capacidade @ Vr, F:	-
Pacote de dispositivos do fornecedor:	B, SQ-MELF	Mfr:	Tecnologia de microchip
Tecnologia:	Schottky	Embalagem / Caixa:	SQ-MELF, B
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	40 V	Corrente - média rectificada (Io):	3A
Velocidade:	Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)