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CY7C1426JV18-300BZCES

CY7C1426JV18-300BZCES
CY7C1426JV18-300BZCES

Imagem Grande :  CY7C1426JV18-300BZCES

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Contato

CY7C1426JV18-300BZCES

descrição
Categoria: Circuitos integrados (CI) Memória Memória Tamanho da Memória: 36Mbit
Estatuto do produto: Atividade Tipo de montagem: Montagem de superfície
Pacote: Em granel Série: -
DigiKey Programável: Não verificado Interface de memória: Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página: - Pacote de dispositivos do fornecedor: 165-FBGA (15x17)
Tipo de memória: Volátil Mfr: Cypress Semicondutor Corp
Frequência do relógio: 300 MHz Voltagem - Fornecimento: 1.7V ~ 1.9V
Embalagem / Caixa: 165-LBGA Organização da memória: 4M x 9
Temperatura de funcionamento: 0°C ~ 70°C (TA) Tecnologia: SRAM - Sincrono, QDR II
Número do produto de base: CY7C1426 Formato de memória: SRAM

SRAM - IC de memória QDR II síncrona de 36 Mbit paralelo a 300 MHz 165-FBGA (15x17)

etiqueta:

Chip de memória de IC,

Memória IC Chip,

controlador CI da memória

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

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