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71V35761S200BQ

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Imagem Grande :  71V35761S200BQ

Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: IC SRAM 4,5MBIT PAR 165CABGA

71V35761S200BQ

descrição
Categoria: Circuitos integrados (CI) Memória Memória Tamanho da Memória: 4.5Mbit
Estatuto do produto: Atividade Tipo de montagem: Montagem de superfície
Pacote: Em granel Série: -
DigiKey Programável: Não verificado Interface de memória: Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página: - Pacote de dispositivos do fornecedor: 165-CABGA (13x15)
Tipo de memória: Volátil Mfr: IDT, Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc.
Frequência do relógio: 200 MHz Voltagem - Fornecimento: 3.135V ~ 3.465V
Tempo de acesso: 3.1 ns Embalagem / Caixa: 165-TBGA
Organização da memória: 128K x 36 Temperatura de funcionamento: 0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia: SRAM - Síncrono, SDR Número do produto de base: 71V35761S
Formato de memória: SRAM

SRAM - IC de memória SDR síncrona de 4,5 Mbit paralelo a 200 MHz de 3,1 ns 165-CABGA (13x15)

Contacto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Pessoa de Contato: Miss. Coral

Telefone: +86 15211040646

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