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R1RW0416DSB-2PI#D1

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Detalhes do produto: Condições de Pagamento e Envio:
Descrição: R1RW0416D-I - Ampla temperatura R

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descrição
Categoria: Circuitos integrados (CI) Memória Memória Estatuto do produto: Atividade
Tipo de montagem: Montagem de superfície Pacote: Em granel
Série: R1RW0416DI Interface de memória: Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página: 12ns Pacote de dispositivos do fornecedor: 44-TSOP II
Tipo de memória: Volátil Mfr: RENESAS
Tamanho da Memória: 4Mbit Voltagem - Fornecimento: 3 V ~ 3,6 V
Embalagem / Caixa: 44-TSOP (0,400", largura de 10.16mm) Organização da memória: 256K x 16
Temperatura de funcionamento: -40°C ~ 85°C (TA) Tecnologia: SRAM - Assíncrona
Tempo de acesso: 12 ns Formato de memória: SRAM

SRAM - IC de memória assíncrona 4Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II

Contacto
Sensor (HK) Limited

Pessoa de Contato: Liu Guo Xiong

Telefone: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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